STF130N10F3

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高达46A的连续电流下，将导通电阻压降至仅9.6毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的电源设计格局。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的杰出力作STF130N10F3。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是基于先进STripFET III技术打造的高性能引擎，专为那些对效率、可靠性和功率密度有严苛要求的应用而生。

当您在设计新一代的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器时，STF130N10F3的价值将得到淋漓尽致的展现。其100V的漏源电压和卓越的开关特性，让它成为处理中高功率任务的理想选择。无论是驱动一台精密的工业设备，还是为数据中心的关键负载提供稳定高效的能源，这颗芯片都能以极低的导通损耗和出色的热性能，确保系统长时间稳定运行，同时大幅降低整体的温升和散热成本。这意味着您的终端产品不仅能拥有更长的使用寿命，还能在激烈的市场竞争中凭借卓越的能效脱颖而出。

选择STF130N10F3，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其TO-220FP封装提供了优异的通孔安装可靠性和散热能力，而宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则赋予了它应对各种恶劣环境挑战的坚韧体魄。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和久经考验的性能，使其在诸多存量升级或特定高可靠性项目中依然极具价值。为了确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们建议您通过官方授权的ST芯片代理进行咨询与采购。让STF130N10F3成为您下一个成功产品的强大心脏，驱动创新，赢取未来。

• 型号:STF130N10F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF130N10F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。