STF13N60DM2

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子世界，您是否正在为开关电源、电机驱动或照明系统寻找那颗既能承受高压冲击，又能保持低损耗的“心脏”级功率器件？今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh DM2系列中的明星产品STF13N60DM2。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统整体效率、迈向绿色能源应用的强大引擎。

想象一下，在您的AC-DC电源适配器或服务器电源中，这颗采用先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，凭借其高达600V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，能够从容应对严苛的开关环境。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，典型值仅为365毫欧。这意味着在每一次导通瞬间，电能损耗被大幅削减，更多的能量被有效输送给负载，而不是转化为无谓的热量。这不仅直接提升了您的产品能效等级，满足了日益严格的节能法规，更让系统运行温度更低，可靠性自然水涨船高。选择一家技术实力雄厚、供货稳定的ST授权代理，是确保您能持续获得如此优异性能芯片的关键一步。

无论是工业电机驱动器的逆变桥臂，还是LED驱动电源的PFC（功率因数校正）电路，甚至是电焊机、UPS不同断电源等要求苛刻的场合，STF13N60DM2都能大显身手。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路的设计更为简单高效，开关速度更快，进一步减少了开关损耗。TO-220FP封装提供了出色的散热性能和通孔安装的便利性，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，将25W的功率耗散能力发挥得淋漓尽致。这意味着您的产品能够适应从寒冷户外到高温机箱内的各种复杂环境，生命周期大大延长。

所以，当您下一次为功率转换方案选型时，理由已经非常清晰：您需要的是一颗在效率、可靠性和易用性上取得完美平衡的器件。STF13N60DM2正是这样一个答案。它承载着意法半导体在功率半导体领域的深厚积淀，以经过市场验证的MDmesh技术，为您带来实实在在的价值更低的系统运营成本、更小的散热设计压力、以及更具市场竞争力的终端产品。让它成为您下一个成功设计的强大基石，共同开启高效、可靠的电力世界新篇章。

• 型号:STF13N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:365 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。