STF13N60M2

在追求更高能效与可靠性的电源设计竞赛中，您是否正为如何平衡性能与成本而苦恼？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品STF13N60M2。这颗600V、11A的N沟道功率MOSFET，不仅仅是参数的简单堆砌，它代表着一种设计理念的革新，旨在为您的电源系统注入强劲而稳定的核心动力，让每一次开关都精准高效，将能量损耗降至前所未有的低点。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器与电机驱动应用中，STF13N60M2正扮演着能量交通枢纽的关键角色。它凭借其卓越的MDmesh II Plus技术，在高达600V的电压下从容工作，轻松应对工业环境中的电压波动与冲击。无论是服务器电源需要的高密度能量转换，还是家用电器追求的静音与节能，这颗芯片都能以其低至380毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，显著降低导通与开关损耗，这意味着更低的温升、更高的系统效率，以及更长的产品使用寿命。当您选择与可靠的ST芯片代理合作时，您获得的不仅是这颗优质芯片，更是一份关于稳定供应与专业支持的承诺。

那么，在众多同类产品中，为何STF13N60M2能脱颖而出，成为您的理想之选？因为它深刻理解工程师的痛点。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，确保在25W的功率耗散下依然稳定，其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与机械强度。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应各种苛刻环境。更低的栅极阈值电压和输入电容，意味着它更容易被驱动，可以简化您的驱动电路设计，从而节省外围元件成本，加速产品上市进程。选择STF13N60M2，就是选择了一份经过市场验证的可靠性、一份源自顶尖半导体制造商的技术底蕴，以及一个能够助力您的产品在性能与能效上赢得竞争优势的强力引擎。

• 型号:STF13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。