STF13N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与散热之间的平衡难题？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF13N80K5。这款来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，正是为应对严苛应用而生的核心动力元件。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、实现设计突破的关键钥匙。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，稳定可靠的高压开关至关重要。STF13N80K5凭借其800V的额定漏源电压和12A的连续漏极电流能力，轻松应对这些高压大电流场景。其采用的先进SuperMESH5技术，实现了极低的导通电阻（典型值远低于450毫欧），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。当系统在满负荷运行时，您将感受到其带来的显著能效提升和温升控制优势，让设备运行更冷静、更持久。

选择STF13N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，既能减少开关损耗，又能简化驱动电路设计，让您的开发过程更加高效顺畅。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，从原型到量产都能稳定如一。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得100%原装正品保障，还能得到及时的技术支持和供应服务，让您的项目从选型到落地全程无忧。立即体验STF13N80K5，为您的下一个电源或电机驱动设计注入强劲而高效的核心动力！

• 型号:STF13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。