STF13N95K3

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统稳定性难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF13N95K3。这款来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其950V的超高耐压和10A的连续漏极电流能力，重新定义了高压应用的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您构建坚固、高效电源系统的信心基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，系统需要在严苛的电压波动下稳定运行。STF13N95K3正是为此而生。其850毫欧的低导通电阻（在5A, 10V条件下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率并简化了散热设计。配合仅51nC的低栅极电荷，它能实现更快的开关速度，减少开关损耗，让您的电源设计在追求高频化的道路上畅通无阻，轻松应对PFC、反激、半桥等主流拓扑结构。

选择STF13N95K3，就是选择了一份从容与保障。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了它在极端环境下的卓越稳定性，TO-220FP封装则提供了优异的功率耗散能力（高达40W）和便捷的安装方式。这颗芯片承载着ST领先的SuperMESH3技术精髓，专为降低传导和开关损耗而优化，能显著提升系统能效等级，帮助您的终端产品在市场上脱颖而出。若您正在寻找可靠的高压开关解决方案，通过专业的ST代理商获取STF13N95K3及相关技术支持，将是您项目成功的关键一步。

• 型号:STF13N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13N95K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。