STF13NM60ND

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为功率器件的选择而权衡？当600V的电压等级与超过10A的电流能力成为硬性需求时，一颗兼具低损耗与高鲁棒性的MOSFET无疑是决定项目成败的关键。现在，答案已经揭晓来自意法半导体FDmesh II家族的STF13NM60ND，正是为满足您的严苛挑战而生。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，这颗芯片将如何大显身手。其高达600V的漏源击穿电压，为您提供了应对电网波动和感性负载关断尖峰的安全余量，让系统运行更加安心。而11A的连续漏极电流承载能力，意味着它能够轻松驾驭主流的中等功率应用，无论是驱动一台家用风扇电机，还是作为PFC电路的核心开关管，都游刃有余。更令人印象深刻的是其FDmesh II超结技术带来的低导通电阻，在10V驱动下仅380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的发热，让您的设备效率更高，温升更低，寿命自然也更长久。

选择STF13NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它不仅仅是一颗参数优秀的MOSFET，更是意法半导体深厚工艺底蕴的体现。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，并减轻了驱动电路的负担，让您的设计可以更高效、更简洁。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的可靠性，非常适合需要坚固耐用性的工业与消费类产品。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以随时联系我们的官方ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STF13NM60ND成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STF13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。