STF14NM50N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的选择而反复权衡？当面对500V高压应用时，既要保证强大的电流承载能力，又必须将导通损耗和开关损耗降至最低，这无疑对功率MOSFET提出了严苛的挑战。现在，答案变得清晰而有力STF14NM50N，这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、增强可靠性的关键赋能者。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路中，或者在工业电机驱动、不间断电源（UPS）的逆变桥臂上，STF14NM50N正以其卓越的性能稳定运行。其高达500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流，为应对电网波动和负载冲击提供了充足的安全裕量。更重要的是，其核心优势在于MDmesh II技术带来的超低导通电阻在10V驱动下仅320毫欧，这意味着在导通期间，电能可以更顺畅地通过，转化为热量的损耗被大幅削减，直接为您节省运营成本，并简化散热设计。

选择STF14NM50N，就是选择了一份从容与高效。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程迅速而干净，不仅减少了开关损耗，提升系统频率成为可能，也降低了对驱动电路的要求，让您的设计更简洁。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。经典的TO-220FP封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以随时联系我们的ST芯片代理团队。让STF14NM50N成为您下一个高效、可靠电力转换方案的坚实基石，共同开启能效新篇章。

• 型号:STF14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF14NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。