STF14NM65N

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STF14NM65N。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的高耐压和12A的连续电流能力，为您的设计注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh II系列技术的结晶，专为应对苛刻的高压开关应用而生，旨在帮助您轻松跨越效率瓶颈，实现系统性能的飞跃。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动器中，STF14NM65N正发挥着核心作用。其380毫欧的低导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）特性则显著降低了开关损耗。这使得系统在高效运行的同时，发热量得到有效控制，从而提升了整体可靠性和寿命。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要稳定输出的开关电源，它都能游刃有余，确保您的终端产品在激烈的市场竞争中保持领先优势。

选择STF14NM65N，就是选择了一份经过时间考验的安心与卓越。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、出色的性能以及广泛的应用基础，使其成为许多经典和现有项目升级、备货的明智之选。其TO-220FP封装提供了良好的散热和通孔安装便利性。当您需要为关键项目寻找可靠且性能优异的功率开关时，与值得信赖的ST芯片代理合作，获取原装正品和专业的库存与替代方案支持，将是保障项目顺利推进的关键一步。让这颗凝聚了ST尖端技术的芯片，成为您打造高效、可靠电源系统的坚实基石。

• 型号:STF14NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF14NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。