STF15N60M2-EP

当您的电源设计需要在效率与可靠性之间找到完美平衡点时，您是否曾为寻找那颗既能承受高压又能保持低损耗的“心脏”而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STF15N60M2-EP，这颗源自ST意法半导体MDmesh M2-EP家族的N沟道功率MOSFET，正是为攻克此类挑战而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、增强产品耐用性的关键引擎。其600V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的功率处理基础，而极低的导通电阻意味着更少的热量产生和更高的能量转换效率，让每一分电力都物尽其用。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动器中，稳定与高效是赢得市场的基石。STF15N60M2-EP凭借其卓越的性能，在这些严苛的应用场景中游刃有余。它能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的设备无论是面对严寒的户外环境还是内部持续的高温考验，都能保持一贯的出色表现。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，也便于安装和集成，大大简化了您的生产流程。选择它，就是为您的产品注入了应对复杂工况的强韧基因。

那么，在众多同类产品中，为何独独青睐这颗芯片？理由清晰而有力。首先，其MDmesh M2-EP技术带来了革命性的低栅极电荷（Qg）和低导通电阻（Rds(on)）组合，这意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，直接助力于提升系统整体频率和功率密度。其次，高达25W的功率耗散能力确保了其在重载下的长期可靠性。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。选择STF15N60M2-EP，不仅是选择了一个高性能的元器件，更是选择了一个提升产品竞争力、降低系统总成本的明智战略。它已经准备就绪，助您打造出更强大、更可靠、更高效的下一代电源解决方案。

• 型号:STF15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。