STF15N65M5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF15N65M5。这款来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，凭借其MDmesh V技术的强大基因，正在重新定义中高功率应用的性能标准。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STF15N65M5能够轻松驾驭650V的高压和11A的连续电流。其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当其他器件还在为散热发愁时，它已让您的设备运行得更冷静、更持久。选择它，就是选择了一种更高效、更可靠的能量转换方式。

这款器件的价值在各类严苛应用中得以充分展现。无论是需要快速响应和高效能的开关电源（SMPS），还是对稳定性和耐用性要求极高的电焊机、UPS不同断电源，STF15N65M5都能游刃有余。其TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，确保在高达150°C的结温下依然稳定工作。这意味着您的产品能够适应更广泛的环境，满足客户对长寿命和低故障率的期待。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STF15N65M5？答案在于它实现了性能、可靠性与成本的完美平衡。它并非单纯追求参数的极限，而是通过ST先进的MDmesh V技术，在关键的损耗与开关速度之间找到了最佳甜蜜点。这能让您的设计一次性通过验证，大幅缩短研发周期。为确保您能获得稳定可靠的正品货源与技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购。立即采用STF15N65M5，让它成为您下一代电源产品的强大心脏，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STF15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。