STF15NM60ND

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而反复权衡？现在，让我们向您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STF15NM60ND。这款来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和14A的连续电流能力，天生就是为高效能量转换而生的强者。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动和照明镇流器中，STF15NM60ND正在默默发挥着核心作用。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更小的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和电容特性则显著降低了开关损耗。这意味着您的系统可以在更高的频率下工作，从而允许使用更小、更轻的磁性元件和滤波电容，最终实现电源产品体积的缩小和功率密度的跃升。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是家用电器中的高效供电模块，它都能游刃有余，确保能量以最小的损失进行传递和控制。

选择STF15NM60ND，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。FDmesh II超结技术带来了优异的品质因数（FOM），在导通损耗和开关损耗之间取得了最佳平衡。TO-220FP封装提供了坚固的机械结构和出色的散热性能，确保器件在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性使其在存量市场和高可靠性要求领域依然备受青睐。为确保您获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。让STF15NM60ND成为您经典设计中那颗可靠的心脏，持续为您的终端产品注入高效、稳定的动力。

• 型号:STF15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF15NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。