STF16N65M2

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一款能够平衡高耐压、低损耗与出色热管理的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STF16N65M2。它不仅仅是一个参数表上的器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，当电路需要承受高达650V的电压冲击时，STF16N65M2凭借其坚固的N沟道结构，为您构筑起一道可靠的安全防线。其11A的连续漏极电流承载能力，意味着它能在高功率传输中游刃有余，而MDmesh M2专利技术带来的超低导通电阻（典型值远低于360毫欧），直接转化为更少的热量产生和更高的整体效率。这意味着您的终端产品将运行得更凉爽、更安静，能耗显著降低，在激烈的市场竞争中脱颖而出。

这款器件的卓越之处，还体现在其快速开关特性和易驱动性上。优化的栅极电荷（Qg）设计，让驱动电路的设计变得更为轻松，减少了开关损耗，特别适合高频开关应用，助力您实现更紧凑的电源尺寸和更高的功率密度。无论是工业电源、UPS不同断电源，还是新能源领域的逆变器，STF16N65M2都能无缝融入，提供稳定而强劲的动力核心。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，还确保了良好的散热路径，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，保障了设备在苛刻环境下的长期稳定运行。

选择STF16N65M2，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和前沿技术。它代表了在性能、可靠性和成本之间取得的精妙平衡。当您需要获取样品、技术支持和批量供应时，可以随时联系我们的ST中国代理，他们将为您提供专业、高效的本土化服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。立即将STF16N65M2纳入您的设计清单，开启能效与可靠性的新篇章！

• 型号:STF16N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:718 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF16N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。