STF18N60DM2

当您在设计下一个电源转换系统时，是否曾为在效率、可靠性和成本之间寻找完美平衡点而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍STF18N60DM2，这颗来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。它承载着业界领先的MDmesh DM2技术基因，将600V的耐压能力与仅为295毫欧的超低导通电阻完美结合，意味着在相同的功率等级下，它能显著降低导通损耗，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而不是以热量的形式白白浪费。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STF18N60DM2能够轻松应对严苛的工作环境。无论是工业自动化设备中需要持续稳定运行的电机控制器，还是消费类电子中追求高效节能的适配器，这颗芯片都能以其13A的连续电流处理能力和卓越的开关特性，确保系统运行如丝般顺滑。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，使得驱动设计更为简单，开关速度更快，从而帮助您实现更高频率的电源设计，让您的产品体积更小巧，性能却更强劲。

选择STF18N60DM2，就是选择了一份经得起考验的承诺。它采用坚固的TO-220FP封装，提供了出色的散热性能和机械可靠性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在极端环境下依然稳定如一。这意味着更长的产品寿命和更低的现场故障率，直接为您节省维护成本并提升品牌声誉。当您需要获得正品保障和及时的技术支持时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这不仅是对您项目质量的负责，更是通往成功设计最可靠的捷径。让STF18N60DM2成为您下一个明星产品的核心动力，共同开启高效、可靠的能量新纪元。

• 型号:STF18N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。