STF18N60M2

在追求更高能效与可靠性的电源设计领域，您是否正在寻找一款能够平衡高性能与出色性价比的功率开关解决方案？今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II Plus家族的明星产品STF18N60M2。它不仅仅是一个参数，更是您提升产品竞争力的强大引擎，其600V的耐压能力和13A的连续漏极电流，为您的设计构筑了坚实的安全与性能基石。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，这颗芯片正以其卓越的MDmesh II Plus技术高效运作。其低至280毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是面对工业变频器严苛的负载波动，还是家用电器对静音与节能的双重要求，STF18N60M2都能游刃有余，确保能量转换过程顺畅而稳定。它就像一位不知疲倦的“能量守门员”，精准控制电流的通断，让每一瓦电力都物尽其用。

选择STF18N60M2，就是选择了一份来自顶级技术与品质保障的双重承诺。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），显著降低了开关损耗，让您的驱动电路设计更简单，系统响应更迅速。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，从原型验证到大规模生产都能无缝衔接。更重要的是，通过值得信赖的ST授权代理进行采购，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，还有专业的技术支持与供应链服务，让您的项目从设计到落地全程无忧。立即将STF18N60M2纳入您的物料清单，亲身体验它如何为您的产品注入强劲动力与卓越可靠性。

• 型号:STF18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。