STF18NM80

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高耐压、低损耗与卓越可靠性的功率开关解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh系列中的明星产品STF18NM80。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升系统能效、简化热管理并确保长期稳定运行的强大引擎。其800V的超高漏源击穿电压，如同为您的电路构筑了一道坚固的防线，从容应对电网波动与感性负载带来的电压尖峰，让系统稳健性跃升至全新高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效照明镇流器等严苛的应用场景中，STF18NM80正以其卓越性能大放异彩。它高达17A的连续漏极电流承载能力，配合低至295毫欧的导通电阻，意味着在相同功率输出下，导通损耗被显著降低，电能得以更高效地传递，而非转化为无谓的热量。这不仅直接提升了整机效率，满足日益严格的能效标准，更让您的散热设计变得更为轻松，系统结构可以更加紧凑。选择我们，您就选择了由专业ST芯片代理提供的原装正品与全方位技术支持。

为何众多工程师在关键项目中信赖STF18NM80？其核心魅力在于MDmesh专利技术带来的完美平衡。它优化了栅极电荷（Qg）与导通电阻（RdsOn）的比值，实现了极快的开关速度与低开关损耗，这对于高频开关电源提升效率至关重要。同时，TO-220FP封装提供了优异的功率耗散能力（高达40W），确保芯片在150°C结温下仍能稳定工作，延长了产品寿命。从卓越的电气参数到坚固的物理封装，每一个细节都旨在为您降低综合成本、加速产品上市并赢得市场竞争力。立即体验，让STF18NM80为您的下一个设计注入强劲动力与可靠保障。

• 型号:STF18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18NM80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。