STF19NM65N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗能在高压下稳定输出、同时保持出色能效表现的“心脏”？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STF19NM65N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其650V的漏源电压和15.5A的连续漏极电流能力，自诞生以来就成为了工业电源、电机驱动和照明系统等领域中可靠与高效的代名词。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键拼图。

想象一下，在服务器电源的PFC（功率因数校正）电路中，或在变频空调的压缩机驱动板上，STF19NM65N正以其卓越的性能默默工作。它采用的MDmesh II技术，是其强大内核的秘密所在。这项技术通过优化的单元结构和垂直导电设计，在相同的芯片面积下实现了更低的导通电阻（Rds(on)）和更优的开关特性。这意味着，在您的高压大电流应用场景中，它能显著减少导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。无论是面对频繁启停的电机驱动，还是要求严苛的开关电源拓扑，它都能游刃有余，确保系统运行平稳而冷静。

选择STF19NM65N，就是选择了一份经过市场验证的安心。其TO-220FP封装不仅提供了坚固的机械保护和良好的散热路径，还兼容广泛的生产工艺。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和庞大的历史应用案例库，使其成为许多经典产品升级或维护的优选。对于仍在相关领域深耕的工程师而言，它代表着一个高性价比且风险可控的选项。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您可以获得关于替代型号、库存支持以及生命周期管理方面的专业建议，确保您的供应链安全无虞。让这颗凝聚了ST尖端技术与可靠工艺的芯片，成为您下一个成功项目的坚实基石。

• 型号:STF19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF19NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。