STF20N65M5

当您设计下一款高效能电源或电机驱动方案时，是否曾为如何在紧凑空间内实现更高功率密度、更低损耗而反复权衡？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh V系列中的明星产品STF20N65M5。它不仅仅是一个650V、18A的N沟道MOSFET，更是工程师应对严苛能效挑战的得力武器，其出色的开关性能和导通电阻特性，能直接将您的系统效率推向新的高度。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至新能源充电桩的核心电路中，STF20N65M5正以其强大的电流处理能力和高达650V的耐压等级，确保系统稳定可靠地运行。它卓越的开关特性意味着更低的开关损耗，而优化的栅极电荷(Qg)则让驱动电路设计更为轻松，有效减少了开关过程中的热量积聚。这使得您的产品不仅能在满负荷下持续输出强劲动力，更能从容应对频繁启停、负载波动的复杂工况，为终端用户带来安静、低温、持久的卓越体验。

选择STF20N65M5，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与前沿技术的结合。其采用的先进MDmesh V技术，在芯片层面实现了导通电阻(Rds(on))与栅极电荷(Qg)的黄金平衡，这直接转化为更低的导通损耗和更高的开关频率潜力，让您的设计在能效竞赛中脱颖而出。同时，TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的便利性，简化了生产流程。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，确保您能快速获得这颗高性能芯片，并得到专业的应用支持，从而加速您的产品上市进程，赢得市场先机。

• 型号:STF20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。