STF20NK50Z

在追求更高能效和更稳定性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的选择而犹豫？当面对500V高压应用场景时，一颗兼具高可靠性、低损耗与出色热管理能力的MOSFET，往往是决定系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族的杰出代表STF20NK50Z，它正是为应对此类挑战而生的高性能解决方案。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或照明镇流器的核心电路中，STF20NK50Z正以其卓越的表现默默工作。其500V的漏源电压额定值，为您的系统提供了坚固的安全边际，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。高达17A的连续漏极电流承载能力，意味着它能够驱动更大功率的负载，让您的设备动力澎湃。更令人印象深刻的是，其SuperMESH技术将导通电阻（Rds(on)）显著降低，在10V驱动电压、8.5A电流下仅270毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的发热，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

选择STF20NK50Z，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更为迅速、平滑，不仅减少了开关损耗，也降低了对驱动电路的要求，让设计更简洁。TO-220FP封装提供了优异的散热路径，结合高达40W的功率耗散能力，确保芯片即使在严苛环境下也能稳定工作，结温高达150°C。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及通过ST中国代理渠道可能获得的库存或替代方案支持，使其依然是许多经典或特定升级项目的可靠选择。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现能源节约目标的强大助力。

• 型号:STF20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。