STF20NM60D

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能同时兼顾高耐压、低导通损耗和出色热性能的解决方案，将如何彻底改变您的产品设计。现在，这一切不再是想象，STF20NM60D正是为此而生的强大引擎。

这颗来自意法半导体FDmesh家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的坚固耐压和20A的强劲电流处理能力，为您构筑了可靠的能量通道。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动下仅290毫欧，这意味着在电流通过时产生的热量被大幅削减，电能得以更高效地转化为有用功，而不是白白浪费在发热上。更低的损耗直接带来了更低的温升和更高的系统可靠性，让您的设备即使在严苛环境下也能稳定持久运行。选择可靠的ST代理合作伙伴，您就能轻松获得这颗性能卓越的芯片以及专业的技术支持。

无论是工业电机驱动中需要频繁开关和承受高反压的桥臂，还是开关电源中承担核心能量转换任务的主功率开关，STF20NM60D都能游刃有余。它同样适用于电焊机、UPS不同断电源、光伏逆变器等对效率和可靠性有着极致要求的领域。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，其结构也利于散热器的安装，确保高达45W的功率耗散能力得以充分发挥，让系统散热设计变得更加轻松。

当您需要在性能与成本之间寻找最佳平衡点时，STF20NM60D给出了令人信服的答案。它继承了意法半导体在功率半导体领域深厚的FDmesh技术积淀，通过优化的单元结构和工艺，实现了开关特性与导通电阻的完美权衡。较低的栅极电荷和输入电容意味着它更容易被驱动，可以减少对驱动电路的要求，从而简化整体设计并降低成本。虽然该型号已停产，但在许多存量项目和对长期可靠性有要求的应用中，它依然是经过市场验证的经典之选。选择它，就是选择了一份经过时间考验的稳定与高效，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

• 型号:STF20NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20NM60D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。