STF21NM60N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为功率开关器件的选择而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STF21NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和17A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效与稳定的代名词。即便其已进入停产状态，其卓越的性能和广泛的应用口碑，依然使其在特定升级和备货市场中闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）主拓扑中，无论是反激式还是正激式结构，都需要一个能够从容应对高压开关、同时将导通损耗降至最低的“心脏”。STF21NM60N正是为此而生。它采用了ST引以为傲的MDmesh技术，这项技术如同在芯片内部构建了高效的高速公路网，使得电流流通路径更优，从而实现了极低的导通电阻（Rds(on)）。这意味着在相同的输出功率下，芯片自身的发热更少，系统的整体能效得以显著提升。无论是工业电源、UPS不同断电源，还是电机驱动和照明镇流器，它都能游刃有余地处理功率转换任务，让您的终端产品运行得更凉爽、更持久。

选择STF21NM60N，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。TO-220FP封装提供了出色的散热性能和便捷的安装方式，而其高达150°C的结温工作能力，则赋予了设计更强的环境适应性和可靠性余量。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和稳定的性能表现，使其成为对可靠性有极致要求或进行产品生命周期维护的项目的理想选择。当您需要为经典设计寻找可靠基石时，通过值得信赖的ST授权代理渠道获取原装正品，无疑是保障项目成功与长期稳定运行的最明智决策。让STF21NM60N的卓越性能，成为您产品在市场中脱颖而出的坚实后盾。

• 型号:STF21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF21NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。