STF22NM60N

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF22NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh II技术的强大基因，正重新定义600V电压等级下的功率开关标准。它不仅是一颗元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STF22NM60N能够轻松应对高达600V的漏源电压和16A的连续电流。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅220毫欧，这意味着更少的导通损耗，更高的整体效率。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更安静。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的电机，还是服务器电源中追求极致转换效率的PFC电路，它都能游刃有余，提供稳定可靠的性能基石。

选择STF22NM60N，就是选择了一份经得起考验的承诺。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，赋予了产品卓越的环境适应性与散热能力，确保在严苛条件下依然长效稳定。这背后，是ST意法半导体深厚的技术积淀与品质管控。为了让您更便捷、安心地获取这颗性能尖兵，我们推荐您通过官方授权的ST一级代理进行采购，从而确保产品原装正品、供货稳定，并获得专业的技术支持服务。当您将STF22NM60N融入您的下一个设计，您收获的将不仅仅是参数的提升，更是系统可靠性、能效表现和市场口碑的全面飞跃。立即行动，让它成为您产品成功的强大引擎！

• 型号:STF22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF22NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。