STF22NM60ND

当您的下一个电源转换或电机驱动项目需要兼顾高性能与高可靠性时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STF22NM60ND。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和17A的连续电流能力，为工程师们提供了一个在效率与稳健性之间取得完美平衡的基石。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、确保长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在工业变频器、不间断电源（UPS）或高效照明镇流器的核心电路中，STF22NM60ND正以其出色的性能默默工作。它采用先进的FDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）控制在极低的220毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。在高温环境下，其高达150°C的结温（TJ）和30W的功率耗散能力，确保了系统即使在严苛条件下也能持续稳定输出。无论是应对突发的电流冲击，还是在长时间满载运行中，它都能展现出令人安心的可靠性。

选择STF22NM60ND，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它隶属于Automotive, AEC-Q101系列，这意味着它遵循了汽车级的严苛质量标准，其稳定性和耐久性远超普通工业级器件。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典或长生命周期产品升级、维护的优选替代方案。当您需要获取这颗经典器件或进行技术咨询时，可以信赖专业的ST中国代理，他们能为您提供可靠的原装货源和本土化的技术支持。让这颗凝聚了智慧与工艺的芯片，成为您驱动创新、赢得市场的坚实后盾。

• 型号:STF22NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF22NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。