STF24N60DM2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STF24N60DM2。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和18A的连续电流能力，正成为工业电源、电机驱动和照明系统等领域升级换代的秘密武器。它不仅仅是一个开关，更是您提升整机效率、缩小产品体积、增强市场竞争力的核心引擎。

想象一下，在您的服务器电源或UPS不间断电源中，STF24N60DM2凭借其先进的FDmesh II Plus技术，能将导通电阻（Rds(on)）有效降低，这意味着更低的传导损耗和更凉爽的运行温度。当它应用于变频空调或电动工具的电机驱动板时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让开关速度更快，开关损耗显著减少，从而让电机运行更平滑、更安静，整体能效轻松迈上一个新台阶。甚至在LED驱动和焊接电源这类对效率和稳定性要求严苛的场景中，它也能游刃有余，确保能量精准、高效地转换。

选择STF24N60DM2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与长期价值。其高达150°C的结温工作范围和稳健的TO-220封装，赋予了产品无与伦比的耐用性和散热能力，大幅提升了系统在恶劣环境下的可靠性。更令人安心的是，通过正规的ST授权代理渠道，您不仅能获得100%原装正品，还能得到完整的技术支持与供应链保障，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即将这颗高效能、高可靠性的功率芯片纳入您的设计，它将成为您打造下一代明星产品的坚实基石。

• 型号:STF24N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220 整包
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1055 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220 整包
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。