STF24N65M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，让我们向您介绍一个能够彻底改变游戏规则的解决方案STF24N65M2。这款来自ST意法半导体的高性能功率MOSFET，凭借其MDmesh M2技术的卓越基因，将650V的耐压能力与超低的导通电阻完美结合，为您带来前所未有的效率提升和设计自由度。它不仅是一个元器件，更是您产品在激烈市场中脱颖而出的性能引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STF24N65M2正以其16A的连续电流承载能力和高达30W的功率处理水平，稳定可靠地运行。其TO-220FP封装在确保强大散热性能的同时，也为您的PCB布局提供了更多灵活性。无论是应对频繁开关的PWM控制，还是在高温环境下持续工作，它都能游刃有余，确保系统核心动力源源不断，让您的终端设备运行得更安静、更凉爽、更持久。

选择STF24N65M2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其极低的栅极电荷（仅29nC）和优化的开关特性，直接转化为更低的驱动损耗和更高的开关频率潜力，让您的电源设计轻松迈向更高功率密度。这意味着您可以用更小的磁性元件和散热器，实现更大的功率输出，从而显著降低系统整体成本和体积。我们信赖的ST芯片代理伙伴能为您提供稳定的供货链与专业的技术支持，确保您的创新想法从蓝图到量产一路畅通。立即采用STF24N65M2，为您的下一个项目注入高效、可靠的核心动力，见证性能的飞跃。

• 型号:STF24N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF24N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。