STF25N80K5

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STF25N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压和19.5A的强大电流承载能力，正重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是参数的简单堆砌，更是效率、可靠性与成本效益的完美平衡，旨在帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心电路中，STF25N80K5正以其超低的导通电阻（典型值仅260毫欧）和优化的栅极电荷，大幅降低导通损耗和开关损耗。这意味着您的系统能够以更低的温升运行，显著提升整体能效，同时为散热设计留出更多余量，让产品运行更安静、寿命更长久。无论是应对严苛的工业环境，还是满足消费级产品对紧凑空间的要求，它都能游刃有余。

选择STF25N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它隶属于ST备受赞誉的SuperMESH5产品家族，该技术通过创新的单元结构，在击穿电压和导通电阻之间取得了最佳折衷。其坚固的TO-220FP封装确保了出色的功率耗散能力（高达40W），并提供了便捷的通孔安装方式。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是原装正品和稳定的供货，还有专业的技术支持与可靠的售后服务，让您的项目从设计到量产全程无忧。立即采用STF25N80K5，为您的下一个功率设计注入强劲而高效的核心动力！

• 型号:STF25N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。