STF25NM60ND

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗成为系统性能提升的绊脚石时，您是否在寻找一个兼具高耐压与低损耗的可靠解决方案？今天，我们为您带来的STF25NM60ND，正是意法半导体FDmesh II系列中的一颗明星产品，它专为应对严苛的高压、高频开关应用而生。这颗600V耐压、21A电流能力的N沟道MOSFET，凭借其仅为160毫欧的超低导通电阻，能够显著降低传导损耗，让您的系统在高效运行的同时，释放出更多能量，直接转化为产品的市场竞争力和用户的卓越体验。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STF25NM60ND将扮演核心的功率开关角色。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于提升系统整体效率、实现更紧凑的磁性元件设计至关重要。无论是工业变频器、不间断电源（UPS），还是高能效的照明镇流器，它都能游刃有余，确保功率转换过程平滑、稳定且发热量低。其TO-220FP封装提供了出色的散热性能和通孔安装的可靠性，让工程师在设计时更加得心应手。

选择STF25NM60ND，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的FDmesh II技术。这项技术通过创新的单元结构，在击穿电压、导通电阻和开关性能之间取得了卓越的平衡。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的适用性，使其成为许多经典或特定延续性项目的理想选择。为了确保您能获得正品货源和稳定的供应支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST中国代理进行采购。这不仅能保障芯片的纯正血统与性能一致，更能获得专业的技术支持和供应链服务，让您的产品开发与生产全流程高枕无忧。立即行动，让STF25NM60ND为您的下一个高效能设计注入强大动力！

• 型号:STF25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF25NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。