STF260N4F7

在追求极致能效与功率密度的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载90A大电流，同时将导通电阻压降至仅2.5毫欧的功率开关，将为您的系统带来怎样的性能飞跃与能效革命？这正是STF260N4F7为您呈现的非凡价值。作为ST意法半导体STripFET F7家族的杰出代表，它不仅仅是一个参数表上的佼佼者，更是您攻克高功率密度设计挑战的可靠伙伴。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具、无人机电调中需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是新能源车车载充电器(OBC)和DC-DC转换环节，STF260N4F7都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达90A的连续电流能力，为48V及以下系统架构提供了坚实的基石。更关键的是，其极低的Rds(on)特性直接转化为更少的导通损耗，意味着更低的温升和更高的系统可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借出色的效率和稳定性脱颖而出。

选择STF260N4F7，就是选择了一种经过验证的高性能路径。其采用的先进STripFET F7技术，在硅片层面进行了深度优化，确保了在10V驱动电压下即可实现极佳的通态性能。低至67nC的栅极电荷(Qg)与优化的内部结构，共同带来了更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。同时，宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它适应工业级和汽车级严苛环境应用的强大韧性。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一身的功率MOSFET时，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，不仅能确保产品原装正品和稳定供应，还能获得及时的技术支持与选型服务，让您的创新之旅全程无忧。

• 制造商产品型号：STF260N4F7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 90A TO220FP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：90A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：67nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5640pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP
• STF260N4F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。