STF26N65DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？让我们为您带来一个决定性的答案。意法半导体MDmesh DM2系列中的明星产品STF26N65DM2，正是为突破这些瓶颈而生。这颗650V耐压、20A电流能力的N沟道功率MOSFET，凭借其革命性的超结技术，将导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积优化到了新高度，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为系统的整体效率提升和温升的显著降低，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断追求小型化的PC电源、LED照明驱动和UPS不间断电源，STF26N65DM2都能游刃有余。它那高达650V的漏源击穿电压，提供了充裕的电压裕量，确保在电网波动或复杂工况下的绝对可靠性；而TO-220FP封装则在经典的TO-220基础上提供了全塑封的绝缘特性，简化了您的散热器安装与电气绝缘设计，让系统集成更加安全便捷。当您需要构建高效、紧凑且可靠的功率转换核心时，这颗芯片就是您值得信赖的基石。

选择STF26N65DM2，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一个经过市场验证的成熟技术平台和强大的供应链支持。意法半导体MDmesh DM2系列久经考验，其卓越的开关性能和坚固性赢得了全球工程师的广泛信赖。对于国内客户而言，通过权威的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能享受到及时的技术支持、灵活的供应保障和有竞争力的价格，彻底消除您的后顾之忧。让STF26N65DM2赋能您的下一个设计，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STF26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26N65DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。