STF26NM60N-H

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够在600V高压下稳定输出20A电流，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局？这正是STF26NM60N-H为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、降低整体成本、并赢得市场竞争力的强大引擎。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，这颗芯片天生就为高效而生。其创新的垂直结构设计，在保持超快开关速度的同时，显著降低了导通电阻（Rds(on)），这意味着在相同的电流下，产生的热量更少，能量浪费被大幅削减。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停，还是开关电源（SMPS）中持续的高频切换，它都能游刃有余，确保系统运行在最佳状态。其高达150°C的结温工作能力，赋予了产品在严苛环境下稳定运行的可靠性，让您的设计无惧高温挑战。

当我们将目光投向实际应用，STF26NM60N-H的身影无处不在。在服务器电源和通信设备电源中，它的高效率直接转化为更低的运营成本和更小的散热系统体积；在变频空调和洗衣机的电机驱动板上，其优异的开关特性带来更平滑的调速和更安静的运行体验；在电焊机、UPS不同断电源等工业设备中，其坚固耐用的特性保障了长时间、高负荷下的稳定输出。选择它，就是为您的产品注入了来自ST意法半导体的尖端基因，而通过正规的ST授权代理渠道获取，更是确保了芯片的原装品质与稳定供应，为您的量产计划保驾护航。

那么，在众多功率器件中，为何最终锁定STF26NM60N-H？答案在于它实现了性能与成本的完美平衡。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热路径，其通孔安装方式也兼容广泛的生产工艺，易于焊接和检测。较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着驱动电路可以更简单、更高效，进一步降低了系统周边的设计复杂度和物料成本。对于正在升级现有方案或开发新一代高效能产品的工程师而言，这颗芯片提供了一个经过市场验证的、高性价比的可靠选择。它让卓越的性能触手可及，助您轻松跨越能效壁垒，打造出令市场惊艳的终端产品。

• 型号:STF26NM60N-H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26NM60N-H的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。