STF26NM60N

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍STF26NM60N，这颗来自意法半导体MDmesh II家族的明星功率MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统性能、降低整体成本的强大引擎。凭借其卓越的600V耐压和高达20A的连续电流处理能力，它天生就是为高效、可靠的功率转换而设计，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有从“芯”开始的领先优势。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明驱动器中，STF26NM60N正在核心位置稳定工作。它那低至165毫欧的导通电阻，意味着在导通状态下更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运营成本。同时，优化的栅极电荷设计确保了快速、干净的开关特性，这不仅减少了开关损耗，也让电磁干扰（EMI）更易于管理，让您的产品轻松满足严苛的能效与安规标准。选择它，就是为您的设备注入了高效与可靠的双重基因。

那么，在众多功率器件中，为何STF26NM60N能脱颖而出，成为您的理想之选？首先，其采用的MDmesh II技术是ST意法半导体的王牌，通过创新的垂直结构实现了导通电阻与开关性能的完美平衡。其次，TO-220FP封装在提供出色散热性能的同时，也兼顾了安装的便利性与空间利用率。最重要的是，它高达150°C的结温工作能力，赋予了系统更强的过载耐受性和更宽的安全工作范围。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，我们的ST芯片代理服务网络将全程为您保驾护航，确保您的项目从设计到量产一路畅通。选择STF26NM60N，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个值得信赖的长期合作伙伴，以及一个更具市场竞争力的产品未来。

• 型号:STF26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF26NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。