STF28N60DM2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与21A大电流，并将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？这正是STF28N60DM2为您呈现的答案。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh DM2系列技术的结晶，旨在彻底革新中高功率应用的能量转换体验。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值便熠熠生辉。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，STF28N60DM2都能成为系统可靠性的基石。其600V的漏源电压提供了充裕的安全裕度，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰；而21A的连续电流处理能力，则确保了在重载工况下的稳定输出。这意味着，您的设备可以更安静、更凉爽、更持久地运行，将电能近乎无损地传递到需要它的地方。

选择STF28N60DM2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其核心优势在于MDmesh DM2创新结构，它显著降低了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，系统整体效率得以大幅提升。更低的损耗意味着更少的热量产生，结合TO-220FP封装良好的散热特性，让您的热管理设计变得前所未有的轻松。此外，从-55°C到150°C的宽广结温工作范围，确保了它在极端环境下依然稳定可靠。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗高性能芯片，专业的ST代理商将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。让STF28N60DM2成为您下一代高性能电源与驱动设计的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STF28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。