STF28N60M2

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一款能在600V高压下稳定工作，同时将导通电阻降至极低的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源和电机驱动方案？今天，我们为您带来的STF28N60M2，正是基于这样的愿景而生。它不仅仅是一个元件，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，旨在将卓越的性能与无与伦比的坚固性融为一体，为您的产品注入强大的心脏。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源与充电桩应用，对功率开关器件的考验都异常严苛。高电压意味着更高的应力，大电流带来更严峻的热挑战，而频繁的开关则直接关系到系统的整体效率。STF28N60M2以其600V的漏源电压和24A的连续漏极电流能力，从容应对这些高压大电流场景。其核心秘密在于先进的MDmesh II Plus结构，它显著优化了单元密度和电荷平衡，使得在12A电流、10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至仅150毫欧。更低的导通电阻直接转化为更少的热量产生和更高的能源利用效率，让您的系统运行更凉爽、更持久。

选择STF28N60M2，就是选择了一份安心与前瞻性。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着驱动电路可以更轻松、更快速地完成开关动作，从而大幅降低开关损耗，提升系统在高频工作下的效率。这对于追求高功率密度和快速动态响应的现代电源设计至关重要。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和TO-220FP封装提供的稳健散热能力，确保了在最恶劣的环境下依然稳定可靠。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST芯片代理团队随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。让STF28N60M2成为您下一个成功产品的基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STF28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。