STF28NM60ND

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与23A大电流的功率开关，不仅自身损耗极低，还能让您的系统在高温下稳定运行，这将是怎样的体验？这正是STF28NM60ND为您带来的核心价值。作为意法半导体FDmesh II系列的代表作，它凭借先进的超结技术，将导通电阻（Rds(on)）控制在极低的150毫欧，这意味着在相同的输出功率下，它能显著减少导通损耗，将更多电能高效地输送给负载，而非转化为无谓的热量。

无论是工业电机驱动、高性能开关电源（SMPS），还是不断电系统（UPS）和太阳能逆变器，STF28NM60ND都能游刃有余。其高达600V的漏源电压（Vdss）提供了充裕的电压余量，确保在电网波动或感性负载切换时依然安全可靠。而23A的连续漏极电流能力，让它足以驱动要求苛刻的中大功率设备。更值得一提的是其优化的动态特性，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着它开关速度更快，开关损耗更低，这对于提升系统整体频率、缩小磁性元件体积至关重要，让您的产品设计在性能和成本之间找到完美平衡点。

选择STF28NM60ND，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，结合高达150°C的结温（TJ）和35W的功率耗散能力，赋予了系统强大的过载和高温工作韧性。虽然该型号已不适用于全新设计，但其卓越的性能和稳定性使其在存量市场、产品升级和维护领域依然拥有不可替代的价值。当您需要为现有系统寻找一个可靠、高效的功率核心时，STF28NM60ND无疑是一个经过时间淬炼的明智之选。如需获取正品保障与专业的技术支持，我们的ST芯片代理团队随时为您服务，助您将这颗高性能芯片的价值发挥到极致。

• 型号:STF28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF28NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。