STF2LN60K3

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受600V高压、同时保持快速响应与低损耗时，STF2LN60K3的出现，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是ST意法半导体SuperMESH3技术家族的杰出代表，将高压能力与卓越的开关特性融为一体，为您的高压侧开关应用注入强劲而稳定的核心动力。

想象一下，在紧凑的开关电源、LED驱动或是家用电器辅助电源中，一颗器件需要同时担当高效开关与安全卫士的双重角色。STF2LN60K3凭借其600V的漏源极电压和2A的连续漏极电流能力，轻松应对这些场景中的高压冲击与电流需求。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热路径，确保20W的最大功率得到稳定释放，更以其通孔安装的可靠性，成为工业级产品中经久耐用的选择。无论是反激式转换器中的主开关，还是功率因数校正（PFC）电路中的关键元件，它都能以稳定的表现，守护系统长时间高效、安静地运行。

选择STF2LN60K3，就是选择了一份由顶尖技术与全球供应链保障的安心。其4.5欧姆的低导通电阻（在1A, 10V条件下）意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。而仅12nC的低栅极电荷（在10V条件下）与235pF的输入电容，则确保了极快的开关速度与极低的驱动损耗，让您的设计在动态响应与能效之间找到完美平衡。这一切卓越性能的背后，是ST意法半导体深厚的工艺积淀。当您通过值得信赖的ST授权代理获取此产品时，您获得的不仅是原装正品保障和稳定的供货，更是完整的技术支持与设计资源，让您的创新之路从芯片选型开始就畅通无阻。让STF2LN60K3成为您下一个高效、可靠电源设计的基石，开启能效新境界。

• 型号:STF2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2LN60K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。