STF30NM60N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为寻找一颗能在高压环境下稳定输出、同时保持出色热管理的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STF30NM60N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的耐压能力和高达25A的连续漏极电流，天生就是为应对严苛应用而生的。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在变频空调的驱动板、工业开关电源的PFC电路，或是电动工具的无刷电机控制器中，稳定与高效是永恒的主题。STF30NM60N正是为此类场景量身打造。它采用了先进的MDmesh II技术，这项技术通过优化单元结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)），在12.5A电流、10V驱动电压下，其最大值仅为130毫欧。这意味着更低的导通损耗，电能得以更高效地传递，而不是浪费在发热上。更低的损耗直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性，让您的设备在长时间满负荷运行时依然从容不迫。

选择STF30NM60N，就是选择了一份经过千锤百炼的安心。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达40W的功率耗散，而且坚固耐用，非常适合工业级应用。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场存量，使其成为许多经典设计升级或维护的绝佳选择。通过与值得信赖的ST代理合作，您可以确保获得正品货源和稳定的供应支持，为您的项目保驾护航。这颗芯片的价值在于，它用实实在在的参数如91nC的低栅极电荷和高达150°C的结温证明了其在开关速度与热稳定性之间的完美平衡，让您的设计在效率与鲁棒性上双双得分。

• 型号:STF30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF30NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。