STF36N60M6

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与30A大电流，却能将导通电阻压至极低水平的功率器件，它将如何彻底改变您的产品性能版图？答案就蕴藏在STF36N60M6之中。

这不仅仅是一颗MOSFET，它是ST意法半导体尖端MDmesh M6技术结出的硕果。其核心价值在于，在严苛的600V漏源电压下，实现了仅为99毫欧的超低导通电阻（Rds(on)）。这意味着什么？意味着更少的能量在导通阶段被转化为无用的热量，直接为您带来系统整体效率的显著跃升。更低的损耗也意味着散热设计可以更为简化，帮助您节省空间与成本，让产品在竞争中轻盈上阵。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，显著降低了开关损耗，让高频高效运行成为可能，为您的设计解锁了新的性能维度。

无论是服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是高功率LED照明和电动汽车充电桩，STF36N60M6都是应对中高功率开关应用的信心之选。它的TO-220FP封装提供了卓越的功率耗散能力（高达40W），结合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予其无与伦比的坚固性与可靠性，足以应对工业环境中的各种挑战。当您需要构建稳定、高效且寿命长久的功率系统时，选择它，就是选择了一份经得起时间考验的性能保障。

为何众多工程师将STF36N60M6作为升级换代的首选？因为它精准地击中了高功率应用的核心痛点在效率、可靠性和成本之间取得了绝佳平衡。它不仅仅提供了优异的参数，更提供了一种让设计变得更简单、更强大的可能性。通过值得信赖的ST授权代理获取这颗芯片，您获得的不仅是原装正品的技术保障，更是从选型支持到供应链稳定的一站式服务。立即将STF36N60M6纳入您的设计，亲身体验MDmesh M6技术如何为您的产品注入强劲动力与卓越能效，在市场中脱颖而出。

• 型号:STF36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF36N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。