STF3LN62K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低导通电阻与卓越开关性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH3家族的明星成员STF3LN62K3，它正是为破解这些核心挑战而生的高效解决方案。

这颗N沟道MOSFET拥有高达620V的漏源电压能力，轻松应对严苛的离线式开关电源环境。其核心魅力在于SuperMESH3技术的加持，在10V驱动电压下，导通电阻低至3欧姆（@1.25A），这意味着更低的传导损耗，能将更多电能高效地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。同时，极低的栅极电荷（仅17nC @10V）和输入电容，确保了快速、干净的开关特性，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在高达150°C的结温下也能稳定运行，可靠性毋庸置疑。

无论是AC-DC适配器、LED驱动电源，还是家用电器中的辅助电源，STF3LN62K3都能大显身手。它那经典的TO-220FP封装，不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产的便利性与连接的牢固性。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与长寿的基因。当您需要为关键设计寻找值得信赖的功率开关时，这颗芯片提供的不仅仅是参数，更是整体系统性能的提升和长期稳定运行的承诺。我们专业的ST代理团队，随时准备为您提供从选型到应用的全方位技术支持。

尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及可能存在的库存或替代方案，依然使其成为许多经典或特定项目设计中值得考虑的稳健之选。它代表了一个时代的技术精华，承载着将复杂电力转换变得简单高效的设计哲学。让STF3LN62K3成为您可靠设计版图中的坚实一环，共同开启能效新篇章。

• 型号:STF3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3LN62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。