STF3N62K3

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STF3N62K3。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其620V的高压耐受能力和卓越的开关特性，正重新定义中功率应用的性能标准。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的秘密武器。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，STF3N62K3正发挥着核心作用。其高达2.7A的连续漏极电流和仅2.5欧姆的低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的设备在满负荷运行时依然保持冷静与高效。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的电机，还是家用电器中追求静音与节能的电源，这颗芯片都能提供稳定而强劲的“心脏”，确保每一次开关都精准而有力，显著延长整机寿命并提升用户体验。

选择STF3N62K3的理由远不止于参数。它继承了意法半导体SuperMESH3技术的精髓，通过优化的单元结构和先进的工艺，实现了极低的栅极电荷（仅13nC）和输入电容。这意味着驱动电路可以更简单、更快速，显著降低开关损耗，尤其在高频应用中优势尽显。其坚固的TO-220FP封装提供了优异的散热性能和机械可靠性，轻松应对150°C的高结温工作环境，让您的设计无惧严苛挑战。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST一级代理身份确保您能获得正品保障与全方位的服务，让创新之路畅通无阻。拥抱STF3N62K3，就是拥抱更高效、更可靠、更具成本效益的未来。

• 型号:STF3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。