STF3NK100Z

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一款能够轻松应对1000V高压环境，同时保持出色导通性能与热稳定性的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源拓扑设计？现在，答案就在STF3NK100Z。这款来自ST意法半导体SuperMESH家族的明星产品，正是为突破极限而生，它不仅仅是一个元件，更是您系统迈向高效、坚固与长寿的基石。

无论是工业级开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路，还是电机驱动、照明镇流器等严苛应用，STF3NK100Z都能游刃有余。其高达1000V的漏源击穿电压，为您提供了充裕的设计余量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而2.5A的连续漏极电流承载能力，结合低至6欧姆的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率与功率密度。这让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更低的运行成本和更小的体积脱颖而出。

选择STF3NK100Z，就是选择了一份经得起时间考验的安心。其卓越的SuperMESH技术确保了极低的栅极电荷（仅18nC）和输入电容，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源工作在更高频率成为可能，从而进一步缩小磁性元件的体积。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和TO-220FP封装带来的优秀散热特性，共同保障了器件在恶劣环境下的长期稳定运行。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，可以随时联系我们的ST中国代理，获取从选型到量产的全方位协助。让STF3NK100Z成为您下一个成功项目的强大心脏，开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STF3NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。