STF3NK80Z

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在严苛的高压环境下，既保证系统的稳定运行，又能有效控制功耗与散热？答案或许就藏在一颗精心设计的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族的明星产品STF3NK80Z。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建高效、坚固电源系统的信心基石。

想象一下，在开关电源、照明镇流器或电机驱动等应用的核心位置，一颗器件需要承受高达800V的电压冲击，同时还要确保快速、干净的开关动作以最小化损耗。STF3NK80Z正是为此而生。其卓越的800V漏源电压（Vdss）额定值，为您的高压侧设计提供了宽裕的安全裕度，有效抵御线路上的电压尖峰和浪涌，让系统稳定性跃升新台阶。结合其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），它能实现更快的开关速度，显著降低开关损耗，这意味着您的电源模块或驱动电路不仅能更高效地工作，产生的热量也更少，从而简化散热设计，提升整体功率密度。

无论是工业电源、LED驱动，还是家用电器中的功率转换单元，选择STF3NK80Z都意味着选择了一份从容。其4.5欧姆的低导通电阻（在特定条件下）确保了在导通期间更低的功率损耗，直接转化为更高的能效和更低的运营成本。TO-220FP封装提供了优异的通孔安装可靠性和散热能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，让它能从容应对从寒冷到酷热的各种环境挑战，保障设备长期稳定运行。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将为您提供从选型到供应的全程保障。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的可靠性与效率是赢得客户的关键。集成STF3NK80Z，就是为您的产品注入一颗强劲而稳健的“心脏”。它帮助您简化设计复杂度，提升系统性能，并最终打造出更节能、更耐用、更具市场竞争力的终端产品。现在就开始使用STF3NK80Z，让它成为您下一个成功设计中的闪耀亮点。

• 型号:STF3NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF3NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。