STF40N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能够在600V高压下稳定运行，同时将导通电阻降至极低的功率开关器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STF40N60M2为您带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为攻克高效能电源转换的挑战而生。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的强大实力便展露无遗。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，STF40N60M2都能游刃有余。其34A的连续漏极电流承载能力和高达40W的功率耗散，确保了系统在严苛工况下的持久可靠。更关键的是，其88毫欧的超低导通电阻（在17A，10V条件下），直接转化为更少的能量以热量形式浪费，让您的整机效率轻松跃升一个台阶，同时显著简化散热设计，为产品小型化腾出宝贵空间。

那么，在众多同类产品中，为何独独选择它？答案在于其无与伦比的综合性能与稳定性平衡。得益于先进的MDmesh II Plus结构，它在保持快速开关特性的同时，极大地优化了品质因数。这意味着您不仅能获得更低的开关损耗和导通损耗，还能享受更平顺的EMI表现，让产品轻松满足日益严格的能效与电磁兼容标准。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对极端环境变化的坚韧品质。选择STF40N60M2，就是选择了一份经得起时间考验的性能承诺，它能帮助您的设计在竞争中脱颖而出，赢得市场先机。如需获取样品或技术支持，我们的合作伙伴ST代理商随时准备为您提供专业服务。

• 型号:STF40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF40N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。