STF42N60M2-EP

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STF42N60M2-EP。这颗源自意法半导体MDmesh M2-EP家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破传统性能瓶颈而生。它不仅仅是一个开关元件，更是您提升系统能效、确保长期稳定运行的强大引擎。想象一下，在600V的高压下，它依然能保持极低的导通损耗，将更多电能精准输送到负载，而非浪费在发热上，这直接意味着更低的运营成本和更小的散热设计压力。

无论是工业电机驱动、高性能开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS），还是电焊机、太阳能逆变器等严苛应用，STF42N60M2-EP都能游刃有余。其高达34A的连续漏极电流和仅为87毫欧的超低导通电阻，确保了在大电流工况下的卓越表现，让您的设备启动更强劲，运行更平稳。在追求功率密度和能效等级的今天，这颗芯片帮助您的产品轻松满足80 PLUS钛金等严苛标准，在市场竞争中脱颖而出。我们作为专业的ST授权代理，深知其稳定供货与卓越品质对您项目成功的重要性。

选择STF42N60M2-EP，就是选择了一份经得起时间考验的承诺。它采用成熟的TO-220FP封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。高达150°C的结温工作能力，赋予了系统更强的过载耐受性和环境适应性。更低的栅极电荷和输入电容，意味着它驱动起来更迅速、更轻松，能有效降低开关损耗，提升整体频率响应。这意味着您的电源系统可以设计得更紧凑、更高效，同时显著降低电磁干扰（EMI）。当您将可靠性、效率和总拥有成本纳入关键考量时，STF42N60M2-EP提供的不仅仅是一个组件，而是一个能够优化您整个系统架构、加速产品上市并赢得用户信赖的全面解决方案。

• 型号:STF42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF42N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。