STF46N60M6

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh M6系列中的明星产品STF46N60M6。这颗采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压和高达36A的连续漏极电流，为您的高压、大电流应用场景注入澎湃而稳定的动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统能效、缩小产品体积、增强市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在工业电机驱动、服务器电源、太阳能逆变器或电动汽车充电桩这些要求严苛的领域，每一次开关动作都关乎整体系统的稳定与能耗。STF46N60M6凭借其MDmesh M6技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅80毫欧@18A, 10V）和优化的栅极电荷（Qg）。这意味着在频繁的开关过程中，导通损耗和开关损耗被双双大幅削减，热量产生更少，系统运行更凉爽、更高效。其TO-220FP封装提供了出色的散热能力和通孔安装的便利性，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，轻松应对各种恶劣环境。

为什么越来越多的工程师在关键设计中转向选择它？因为价值显而易见。在追求功率密度和效率的今天，STF46N60M6提供了卓越的性能与可靠性的平衡。更低的损耗直接转化为更高的能源效率，满足全球日益严格的能效标准，同时减少散热需求，可能帮助您简化散热设计，降低系统总成本。其坚固的设计和意法半导体一贯的高质量标准，确保了产品长期运行的可靠性，极大降低了现场故障风险。选择它，就是选择了一份让终端产品更节能、更紧凑、更耐用的信心保障。如需获取正品保障与专业技术支持，请务必咨询我们的ST授权代理。

• 型号:STF46N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF46N60M6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。