STF4N52K3

当您的电源设计需要在高电压环境下保持稳定高效，同时又要严格控制成本和空间时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出STF4N52K3，这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，正是为破解此类难题而生。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在紧凑的开关电源、高效的LED驱动或是可靠的工业电机控制电路中，STF4N52K3正以其高达525V的漏源电压和2.5A的连续漏极电流，从容应对各种高压挑战。其卓越的SuperMESH3技术，意味着更低的导通电阻和更快的开关速度，这直接转化为更低的能量损耗和更高的系统效率。无论是面对频繁启停的电机，还是需要精密调光的LED阵列，它都能确保能量转换过程平滑、安静且发热量更低，让您的终端设备运行更凉爽、寿命更长久。

为什么在众多选择中，STF4N52K3值得您特别关注？因为它精准地平衡了性能与实用性。TO-220FP封装提供了优异的散热能力和通孔安装的可靠性，非常适合对空间和散热有要求的工业级应用。尽管该型号已停产，但其成熟的设计、经过市场长期验证的稳定性，以及通过ST中国代理渠道可能获得的库存支持，使其成为许多经典设计升级或维护的优选。选择它，就是选择了一份经过时间考验的可靠性与性价比，让您的产品在性能巅峰稳定运行。

• 型号:STF4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF4N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。