STF4N62K3

当您需要一款能在高压环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STF4N62K3这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，这颗芯片天生就为应对严苛的工业与消费电子应用而生，其高达620V的漏源电压和3.8A的连续电流能力，为您的设计提供了坚实而宽广的安全边际。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STF4N62K3都能以其极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），显著降低开关损耗和传导损耗。这意味着更低的温升、更高的整体效率，以及更小的散热器需求，直接转化为您的产品成本优势和更长的使用寿命。在照明领域，无论是LED驱动还是HID镇流器，其快速开关特性和高耐压能力确保了精准的电流控制和稳定的光输出。而对于电机驱动、工业控制等应用，其坚固的TO-220FP封装和高达150°C的结温，赋予了产品无与伦比的耐用性和环境适应性，从容应对各种挑战。

选择STF4N62K3，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它代表了在功率密度、能效和可靠性之间取得的精妙平衡。其出色的参数表现，如仅2欧姆的导通电阻和22nC的低栅极电荷，直接转化为更快的系统响应速度和更少的能量浪费。当您与值得信赖的ST代理商合作时，您获得的不仅是一颗高性能芯片，更是从技术选型支持到稳定供应链保障的全方位服务。让STF4N62K3成为您下一个成功产品的核心动力，开启高效、可靠、节能的新篇章。

• 型号:STF4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF4N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。