STF4N90K5

在追求更高能效和更可靠性能的电源设计领域，您是否正在为如何平衡高耐压、低损耗与系统成本而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STF4N90K5。这颗900V耐压的N沟道MOSFET，以其卓越的性能，正重新定义中高功率应用的效率标准，为您的设计注入强劲而稳定的核心动力。

想象一下，在苛刻的工业环境中，无论是开关电源（SMPS）的功率级，还是电机驱动、照明镇流器，甚至是不断电系统（UPS），系统都需要面对电压尖峰和热应力的双重考验。STF4N90K5正是为此而生。它高达900V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的安全裕度，有效抵御线路上的浪涌冲击，让您的设备运行得更安心、更持久。其优化的MDmesh K5技术，在相同的芯片面积下，实现了更低的导通电阻（Rds(on)）和更优的开关特性，这意味着更少的导通损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，帮助您的终端产品在市场上赢得节能环保的竞争优势。

选择STF4N90K5，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越价值的结合。它4A的连续漏极电流承载能力，配合仅2.1欧姆的导通电阻，确保了在高负荷下依然能保持高效的能量传输。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）大幅减轻了驱动电路的负担，让开关速度更快，系统响应更敏捷，同时简化了您的驱动设计，降低了周边元件成本。其坚固的TO-220FP封装提供了出色的散热性能，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，足以应对从严寒到酷热的各类环境挑战，保障设备7x24小时稳定运行。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，我们的ST芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STF4N90K5，不仅仅是选择了一颗元器件，更是为您产品的核心竞争力加上了关键的砝码，开启高效、可靠电源解决方案的新篇章。

• 型号:STF4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3
• STF4N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。