STF5N52U

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而反复权衡？当525V的高压应用场景需要一颗既能承受严苛电压又能实现快速响应的核心开关时，STF5N52U的到来，正是为了终结这种妥协。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体UltraFASTmesh技术家族的杰出代表，专为那些对效率和可靠性有苛刻要求的应用而诞生。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是高频逆变器中，这颗芯片将如何大显身手。其高达525V的漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流，为高压侧开关提供了坚实的保障。更关键的是，其标志性的UltraFASTmesh技术，通过优化的单元结构，显著降低了导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这意味着在每一次开关动作中，导通损耗和开关损耗都被大幅削减，让您的系统整体效率轻松跃升一个台阶，同时更低的发热也直接提升了长期运行的可靠性。

选择STF5N52U，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与安心保障。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热能力，也兼容广泛的标准安装工艺。尽管该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定库存与专业的技术支持，确保您的产品生命周期与生产计划不受影响。这颗芯片承载的，是意法半导体对高性能功率器件的深刻理解，它将帮助您简化设计挑战，释放系统潜能，最终打造出在能效和稳定性上都更具竞争力的终端产品。

• 型号:STF5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N52U的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。