STF5N60M2

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，您是否还在为功率器件的选择而权衡？当600V的电压平台遇上对效率和可靠性的严苛要求，STF5N60M2的出现，正是为了终结这种两难。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为那些需要在高电压下实现低损耗和稳健运行的场景而生。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，这颗芯片能够轻松驾驭。其600V的漏源电压和3.7A的连续电流能力，为系统提供了坚实的功率处理基础。而真正让它脱颖而出的，是其在导通电阻与开关性能间的精妙平衡。1.4欧姆的低导通电阻意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关速度和更低的驱动损耗，这一切都直接转化为更低的温升和更高的整体效率，让您的产品在市场中更具竞争力。

选择STF5N60M2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产的便利性与可靠性。高达150°C的结温工作能力，赋予了设计者更宽的安全裕度和应对恶劣环境挑战的信心。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，我们的ST一级代理身份确保了您能获得原厂正品与专业的服务支持。无论是升级现有方案还是开发新一代产品，它都是您实现高效、紧凑、可靠电源设计的强大引擎。

• 型号:STF5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。