STF5N62K3

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高耐压、低导通电阻和出色开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品格局。现在，这一切不再是想象，STF5N62K3正是为此而生的卓越解决方案。

源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，这颗芯片天生就流淌着高效的血液。其高达620V的漏源电压为您构筑了坚实的安全屏障，轻松应对电网波动和复杂的电磁环境。更令人振奋的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至1.6欧姆，这意味着在相同的电流下，芯片自身产生的热量将大幅减少，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是面对持续4.2A的电流挑战，还是在-55°C到150°C的严苛温度范围内，它都能稳定运行，展现出无与伦比的可靠性。

这种卓越的性能，让STF5N62K3的身影活跃于众多关键应用场景。在开关电源（SMPS）中，它是实现高效AC-DC转换的核心，助力适配器、PC电源达到更高的能效标准；在照明领域，无论是LED驱动还是电子镇流器，其快速的开关特性和低栅极电荷（仅26nC）确保了精准的调光和极高的功率因数；对于电机控制、工业逆变器乃至家用电器中的辅助电源，它都是提升整体性能和可靠性的不二之选。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐STF5N62K3？答案在于它带来的综合价值远超一个简单的元件。它不仅仅降低了导通损耗，其优化的动态参数还有助于减小开关损耗，让您的系统在全程高效运行。TO-220FP封装提供了优异的散热能力，与25W的功率耗散相结合，让热设计变得更加轻松，有效节省了空间和散热成本。这意味着您可以用更少的物料、更简单的设计，实现更强大的性能输出。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，专业的ST中国代理将成为您坚实的后盾，确保从研发到量产的全程无忧。选择STF5N62K3，就是选择了一个经过市场验证的高性能平台，一次投入，长久受益，让您的产品在竞争中始终快人一步，赢得先机。

• 型号:STF5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。