STF5NK100Z

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭高压、高功率挑战的功率开关解决方案？今天，我们为您带来一个卓越的答案STF5NK100Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达1000V的漏源电压和SuperMESH3技术的加持，为您打开了高效、稳定电力转换的新大门。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、确保系统长期稳定运行的坚实后盾。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或UPS不间断电源等关键应用中，每一次开关动作都关乎着系统的整体效率与寿命。STF5NK100Z正是为此类高压、高频应用场景而生。其3.7欧姆的低导通电阻（在特定条件下）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷特性则确保了快速、干净的开关行为，有效减少了开关损耗和电磁干扰。这使得您的电源设计不仅效率更高，运行更凉爽，还能轻松满足日益严苛的能效标准，让您的产品在市场上脱颖而出。

选择STF5NK100Z，就是选择了一份来自顶尖半导体品牌的品质承诺。ST意法半导体的SuperMESH3技术平台，代表了其在功率MOSFET领域深厚的技术积淀，确保了器件在高压下的卓越坚固性和长期可靠性。其TO-220FP封装提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，让它能够从容应对各种严苛环境。当您通过值得信赖的ST授权代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，更有专业的技术支持，帮助您将这颗强大芯片的潜力发挥到极致，从而缩短开发周期，加速产品上市。

无论是升级现有方案还是开启全新设计，STF5NK100Z都以其强大的性能参数和可靠的品质，成为您应对高压功率管理挑战的明智之选。让它成为您下一个成功产品的动力核心，共同创造更高价值。

• 型号:STF5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。